SP6649HF是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在30W以內(nèi)的方案。SP6649HF在PWM模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí)，工作頻率由IC內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。SP6649HF在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時(shí)，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)（Leading-edge blanking time），消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。SP6649HF采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6649HF內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP），過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），VDD過(guò)壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)溫保護(hù)（OTP）等，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控制。